รายละเอียดโครงการวิจัย รหัสโครงการ : MRG4680134 ชื่อโครงการ : การจำลองแบบการทำงานของทรานซิสเตอร์แบบ n-channel strained Si MOSFETs on SiGe-on-insulator ด้วยวิธีมอนติคาร์โล   Monte Carlo simulation of n-channel strained Si MOSFET on SiGe-on-insulator หัวหน้าโครงการ : อนุชา แยงไธสง ทีมวิจัย : อนุชา แยงไธสง หัวหน้าโครงการ ธนากร โอสถจันทร์ นักวิจัยที่ปรึกษา วันที่เริ่มโครงการ : 1 ก.ค. 2546 วัตถุประสงค์ : 1. ศึกษาลักษณะสมบัติ (DC current-voltage characteristics) ของทรานซิสเตอร์ชนิด n-channel SOI-MOSFET, strained Si-MOSFET และ strained Si-SGOI MOSFET 2. ทำนายค่าความถี่คัทออฟของทรานซิสเตอร์ทั้ง 3 ประเภท 3. เพื่อศึกษาผลของ strain ต่อสมบัติการเคลื่อนที่ของอิ สถิติการเปิดชม : 525 ครั้ง ดาวน์โหลด : 55 ครั้้ง   แจ้งปัญหาการดาวน์โหลดที่นี่ (* หากไม่สามารถดาวน์โหลดได้) รายงานวิจัย ฉบับสมบูรณ์: รายงานวิจัยฉบับสมบูรณ์ (Full Paper) บทคัดย่อ (Abstract) : แสดงบทคัดย่อ เลือกดาวน์โหลดแบบลิงค์ :