รายละเอียดโครงการวิจัย รหัสโครงการ : MRG5080141 ชื่อโครงการ : การหาลักษณะเฉพาะของวัสดุสารกึ่งตัวนำ III-ไนไตรด์และสารกึ่งตัวนำไนไตรด์เจือจางที่มี ช่องว่างแถบพลังงานต่ำ Characterization of Narrow Bad Gap III-Nitride and Dilute Nitride Semiconductor Materials หัวหน้าโครงการ : สกุลธรรม เสนาะพิมพ์ : [งานวิจัยที่เกี่ยวข้อง (4 โครงการ) ] ทีมวิจัย : สกุลธรรม เสนาะพิมพ์ หัวหน้าโครงการ สุคคเณศ ตุงคะสมิต นักวิจัยที่ปรึกษา เคนทาโร โอนาเบะ นักวิจัยที่ปรึกษา วันที่เริ่มโครงการ : 2 ก.ค. 2550 วัตถุประสงค์ : 1. ศึกษาโครงสร้างผลึกพื้นฐานวัสดุสารกึ่งตัวนำ InN และสารกึ่งตัวนำไนไตรด์เจือจาง GaAsN InGaAsN และ InGaPN ที่ปลูกผลึกด้วยวิธี Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) และ/หรือ Molecular Beam Epitaxy (MBE) 2. ตรวจสอบและวิเคราะห์ถึงอิทธิพลของ In และ N ต่อความบกพร่องเชิงโครงสร้างในระดับไมโครและนาโน (micro-nano-structural defects) ที่เกิดขึ้นในฟิล์มบางและโครงสร้างแบบควอนตัม (quantum structures) ที่มีวัสดุพื้นฐานเป็นสารกึ่งตัวนำ InN และสารกึ่งตัวนำไนไตรด์เจือจาง GaAsN InGaAsN และ InGaPN 3. ตรวจสอบสมบัติทางแสงของของวัสดุสารกึ่งตัวนำ III-ไนไตรด์ คือ InN และสารกึ่งตัวนำไนไตรด์เจือจาง GaAsN InGaAsN และ InGaPN 4. ตรวจสอบและวิเคราะห์อิทธิพลของ N และ In ที่มีต่อพารามิเตอร์ของวัสดุ (material parameters) ของวัสดุสารกึ่งตัวนำ InN และสารกึ่งตัวนำไนไตรด์เจือจาง GaAsN InGaAsN และ InGaPN เช่น การผ่อนคลายความเครียด ขนาดโครงสร้างผลึก และค่าช่องว่างแถบพลังงาน เป็นต้น 5. วิเคราะห์ความสัมพันธ์ระหว่างพารามิเตอร์ของวัสดุแต่ละชนิดเพื่อใช้ในการกำหนดคุณสมบัติสำหรับการประยุกต์ใช้ต่อไป สถิติการเปิดชม : 962 ครั้ง ดาวน์โหลด : 98 ครั้้ง แจ้งปัญหาการดาวน์โหลดที่นี่ (* หากไม่สามารถดาวน์โหลดได้) รายงานวิจัย ฉบับสมบูรณ์: รายงานวิจัยฉบับสมบูรณ์ (Full Paper) บทคัดย่อ (Abstract) : แสดงบทคัดย่อ เลือกดาวน์โหลดแบบลิงค์ :
