รายละเอียดโครงการวิจัย รหัสโครงการ : RSA5480025 ชื่อโครงการ : การปลูกผลึกด้วยวิธี MOCVD และคุณภาพวัสดุของฟิล์มบางอินเดียมไนไตรด์และแกลเลียมไนไตรด์เพื่อการประยุกต์ใช้ในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์เชิงแสงและเซลแสงอาทิตย์ MOCVD growth and Material quality of Indium Nitride and Gallium Nitride Films for Application in Optoelectronic Devices and Solar Cells หัวหน้าโครงการ : สกุลธรรม เสนาะพิมพ์ : [งานวิจัยที่เกี่ยวข้อง (4 โครงการ) ] ทีมวิจัย : สกุลธรรม เสนาะพิมพ์ หัวหน้าโครงการ วันที่เริ่มโครงการ : 15 มิ.ย. 2554 วัตถุประสงค์ : 1 สร้างองค์ความรู้ด้านเทคโนโลยีและกระบวนการผลิตฟิล์มบางแบบเอพิแทกซี (epitaxial growth) ของสารกึ่งตัวนำที่ปลูกผลึกด้วยวิธี MOCVD ขึ้นในประเทศไทย 2 พัฒนาเทคนิคของกระบวนการปลูกผลึกฟิล์มบางแบบเอพิแทกซีด้วย MOCVD ของสารกึ่งตัวนำชนิด III-ไนไตรด์ โดยเฉพาะ InN, GaN และ InGaN 3 ใช้วิธีการปลูกผลึก MOCVD ในพัฒนาโครงสร้างผลึกในระดับนาโนสำหรับสารกึ่งตัวนำ III-ไนไตรด์ 4 ตรวจสอบและวิเคราะห์หาสมบัติพื้นฐานของสารกึ่งตัวนำ เช่น สมบัติทางอิเล็กทรอนิกส์ สมบัติเชิงแสง สมบัติเชิงไฟฟ้า และสมบัติเชิงโครงสร้าง ที่เหมาะสมต่อการนำไปประยุกต์ใช้ในงานด้านอิเล็กทรอนิกส์, เซนเซอร์ และพลังงาน (พลังงานความร้อน และเซลแสงอาทิตย์) ในสภาวะแวดล้อมต่าง ๆ สถิติการเปิดชม : 176 ครั้ง ดาวน์โหลด : 1 ครั้้ง แจ้งปัญหาการดาวน์โหลดที่นี่ (* หากไม่สามารถดาวน์โหลดได้) รายงานวิจัย ฉบับสมบูรณ์: รายงานวิจัยฉบับสมบูรณ์ (Full Paper) บทคัดย่อ (Abstract) : แสดงบทคัดย่อ เลือกดาวน์โหลดแบบลิงค์ :
